台积电在2022 年技术研讨会宣布，N3 工艺将于 2022 年内量产，后续还有 N3E、N3P、N3X 等，N2（2nm）工艺将于 2025 年量产。
台积电称N2是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，而非现在的 FinFET（鳍式场效应晶体管）。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。在相同功耗下，N2 比 N3速度快10~15%；相同速度下，功耗降低 25~30%。不过，与 N3E 相比，N2 仅将芯片密度提高 1.1 倍左右。
GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了泄漏；此外，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管提供足够的功率，台积电的 N2 使用 backside power rail，台积电认为这是在back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。
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